차세대 시스템/메모리 반도체 소자 연구실
권대웅 교수
담당과목
고체전자물리개론, 회로이론
학력
서울대학교 공학박사, 전자공학
경력
2023-현재 한양대학교 융합전자공학부 조교수
2019-2023 인하대학교 전기공학과 조교수
2019-2019 Intel (CA, USA), Senior engineer
2017-2019 UC Berkeley EECS (semiconductor device Lab.), Post doc. & research scientist
2005-2014 삼성반도체, 책임연구원
2019-2023 인하대학교 전기공학과 조교수
2019-2019 Intel (CA, USA), Senior engineer
2017-2019 UC Berkeley EECS (semiconductor device Lab.), Post doc. & research scientist
2005-2014 삼성반도체, 책임연구원
우리 연구실은 산업용 반도체 소자 개발을 목표로 실리콘 기반 시스템, 메모리
반도체 연구를 진행하고 있습니다. 차세대 저전력 로직 소자와 메모리 소자의 재료 설계, 구조 및 공정 디자인 뿐만 아니라 제작 (fabrication), 측정, 분석, 모델링 등 반도체 소자 개발 전반에 걸친 다양한 연구를 수행
중입니다. 또한, 신 물질을 활용하여 차세대 로직, 메모리, 인공지능 반도체 및 센서 소자 개발도 수행하고 있습니다.
-주요 연구분야
1. 차세대 저전력 로직 소자 및 공정 개발
2. 차세대 메모리 (SRAM, DRAM, NAND flash memory) 소자
및 공정 개발
3. 인공지능 반도체 시스템 개발
4. CMOS image sensor, gas sensor
5. Device modeling (TCAD & compact modeling)
