전임교수
반도체재료소자 연구실
박완준 교수
02-2220-4315
담당과목

고체전자물리, 반도체회로공정, 전자기학, 전자장

고체물리, 반도체물리, 나노스핀트로닉스

학력
Univ. of Utah, Physics 이학박사
경력
2016.9 ~ 2018.8 한양대학교 공과대학 융합전자공학부 학부장
2007 ~ 현재 한양대학교 공과대학 교수
1999 ~ 2007 삼성종합기술원 수석연구원
1997 ~ 1999 미시간주립대 Post Doc.
1988 ~ 1992 금성반도체 선임연구원

 

반도체재료소자 연구실


미래의 전자산업분야의 변화에 대응하는 반도체재료와 소자기술연구로 1)
CMOS Scaling, 2) 나노 Scale 기반의 전자소자, 3) Spin Electronics
를 연구하고 있다.

 

1. CMOS VLSI Emerging 소자분야
Neuromorphic Device/Architecture, Non Volatile Memory/Logic
연구와 Bio-Medical Sensor 분야로 탄소나노구조를 적용하여 Bio-
Molecules과 Human Senses 검지를 위한 검지소자 연구 수행 중이다.

 

 

2. Spin Electronics 분야
MRAM을 구성하는 MTJ cell의 재료 및 소자 특성 연구와 전자
스핀을 이용하여 읽고 쓰기가 가능한 비휘발성 논리 회로 설계 및 구현,
Neuromorphic 소자 응용 등을 연구한다.

3. Graphene과 Nanotube합성기술을 이용한 응용 소자 연구 분야
Graphene을 이용한 고속 소자 및 집적화 소자 구현과 이의 표면
개질로부터 Electromechanical 특성에 이르기까지 다양한 특이성을
응용한 Bio-Sensor 및 나노구조 기반의 검지 소자 개발을 진행 중이다.
 

 

 

 

관심연구분야

 

 

Nano-scale Devices for Electronic and Bio-Sensor Applications
with Various Kinds of Nano-Materials, Device Scaling in VLSI
Technology and Spin Electronics for Non-Volatile Memory and
Logic Architecture. Neuromorphic Device/Architecture

 

 

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